发明专利
《一种低转移缺陷的柔印冷烫印全息防伪箔及其制备方法》
发明专利
专利类型
2025年8月13日
申请日期
ZL2025111323635
专利号
专利号 ZL2025111323635 专利名称
《一种低转移缺陷的柔印冷烫印全息防伪箔及其制备方法》
专利类型 发明专利 申请日期 2025年8月13日
发明人 赵世博,薛萌,吴敏达,向煌,张远达,袁腾 专利权人 广东功能膜材料工业设计研究院
下证日期 2025年8月13日 申请地址 南雄市南雄产业转移工业园发展二路8号办公楼401室
专利摘要
本发明针对柔印冷烫印全息防伪箔存在的白点、裂纹等转移缺陷问题,通过多层结构设计与新型材料组合解决。采用蜡改性有机硅树脂离型层降低剥离力,信息层聚氨酯-丙烯酸树脂交联网络吸收转印应力,保护层高酸值树脂与纳米填料增强附着力,实现低缺陷、高清晰度的冷烫印效果。
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